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场发射枪扫描电子显微镜

热科学杰出人才灯塔G2 FEG-SEM带来场发射扫描电镜到您的桌面。Phenom灯塔G2 FEG-SEM将比许多落地式sem图像质量,同时提供更好的用户体验。学术和工业实验室,到目前为止没有考虑SEM一个现实的选择,Phenom灯塔G2 FEG-SEM使FEG性能可多亏了有吸引力的形式因素和短期培训。超级快的样本加载意味着快速交换,这意味着更高的生产率。不像其他的sem,最终被订满,杰出人才灯塔G2 FEG-SEM执行成像和分析工作如此之快,它无电梯的工具。

新的杰出人才灯塔G2 FEG-SEM扩大加速电压范围1 kV,更好地适应绝缘和beam-sensitive样本,和20 kV,分辨率为2.0 nm,揭示了最好的细节。

介绍了杰出人才灯塔G2桌面FEG-SEM:直观的证据,你的研究

关键特性

独特的场致发射源

独特的桌面sem、杰出人才灯塔G2 FEG-SEM提供了场致发射源,保证高亮度、清晰的图像,和电子束电流稳定。

优秀的分辨能力

Phenom灯塔G2 FEG-SEM提供分辨率为2.0 nm 20 kV。这样的表现显示了纳米颗粒的形状,缺陷在涂料、或者其他的特性,可能错过了钨sem或其他桌面sem。

温柔的成像

电压范围到1 kV,杰出人才灯塔G2 FEG-SEM使成像beam-sensitive样本,如聚合物,以及绝缘样品,不需要应用涂层。因此,纳米级表面特征并不模糊。

更高的生产率

虽然FEG sem名声很难适应,很难操作,Phenom灯塔G2 FEG-SEM只需要一张桌子,和不到一个小时的培训。掌握学生、游客或其他研究人员通常不培训工作在高端FEG sem可以很容易地使用人才,灯塔G2 FEG-SEM创建引人注目的图像。

一个世界的信息

杰出人才的灯塔G2 FEG-SEM形态信息获取和成分信息,由于SE,疯牛病,内置和EDS探测器系统。一系列样品持有人可用于温度控制或电气实验。


规范

样式表的产品规格表
决议
  • 2.0 nm (SE)、3 nm (BSE) 20 kV
  • 10 nm (SE) 3 kV
电子光学放大范围
  • 2000000 x
光光学放大
  • 27 - 160 x
加速电压
  • 默认值:5 kV、10 kV和15千伏
  • 先进的模式:1 kV之间的可调节范围和20 kV
真空模式
  • 高真空模式
  • 介质真空模式
  • 集成电荷减少模式(低真空模式)
探测器
  • 背散射电子探测器(标准)
  • 能量色散x射线能谱(EDS) detetor(可选)
  • 二次电子探测器(可选)
样本大小
  • 25毫米直径(32毫米可选)
样品的高度
  • 35毫米(100毫米可选)
科摩多标签的样式表

资源

裸露的绝缘体,如海贝壳,只能以低加速电压正确成像。在2 kV(左图),重要的充电文物仍然可以观察到。1 kV(右图),这些工件已经消失。
裸露的绝缘体,如海贝壳,只能以低加速电压正确成像。在2 kV(左图),重要的充电构件仍然可以观察到。1 kV(右图),这些工件已经消失。
敏感材料需要温和的条件。随着加速电压降到1 kV,杰出人才灯塔G2桌面FEG-SEM图像beam-sensitive样品没有样品涂层或其他样品制备。左:制药粉,1 kV成像没有损害。右:相同的样本成像在5 kV,与破坏,说明low-kV成像的需要。
敏感材料需要温和的条件。随着加速电压降到1 kV,杰出人才灯塔G2桌面FEG-SEM图像beam-sensitive样品没有样品涂层或其他样品制备。左:制药粉,1 kV成像没有损害。右:相同的样本成像在5 kV,与破坏,说明low-kV成像的需要。

研讨会:扫描电子显微镜:选择正确的技术为您的需要

这种按需网络研讨会旨在帮助你决定哪些SEM最好的满足您的独特需求。我们报告概述SEM技术对多用户的热费希尔科学研究实验室和关注这些广泛的解决方案交付性能,多才多艺,原位动态和更快的结果。看这个网络研讨会,如果你感兴趣:

  • 如何满足需求不同的微量分析方法(EDX、EBSD WDS, CL,等等)。
  • 样本是如何在自然特征状态而无需样品制备。
  • 新的先进的自动化允许研究人员如何节省时间和提高效率。
裸露的绝缘体,如海贝壳,只能以低加速电压正确成像。在2 kV(左图),重要的充电文物仍然可以观察到。1 kV(右图),这些工件已经消失。
裸露的绝缘体,如海贝壳,只能以低加速电压正确成像。在2 kV(左图),重要的充电构件仍然可以观察到。1 kV(右图),这些工件已经消失。
敏感材料需要温和的条件。随着加速电压降到1 kV,杰出人才灯塔G2桌面FEG-SEM图像beam-sensitive样品没有样品涂层或其他样品制备。左:制药粉,1 kV成像没有损害。右:相同的样本成像在5 kV,与破坏,说明low-kV成像的需要。
敏感材料需要温和的条件。随着加速电压降到1 kV,杰出人才灯塔G2桌面FEG-SEM图像beam-sensitive样品没有样品涂层或其他样品制备。左:制药粉,1 kV成像没有损害。右:相同的样本成像在5 kV,与破坏,说明low-kV成像的需要。

研讨会:扫描电子显微镜:选择正确的技术为您的需要

这种按需网络研讨会旨在帮助你决定哪些SEM最好的满足您的独特需求。我们报告概述SEM技术对多用户的热费希尔科学研究实验室和关注这些广泛的解决方案交付性能,多才多艺,原位动态和更快的结果。看这个网络研讨会,如果你感兴趣:

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  • 样本是如何在自然特征状态而无需样品制备。
  • 新的先进的自动化允许研究人员如何节省时间和提高效率。

应用程序

过程控制使用电子显微镜

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现代工业需求与优质高吞吐量,平衡,保持健壮的过程控制。SEM和TEM工具与专用自动化软件提供快速、过程监控和改进的多尺度信息。

使用电子显微镜质量控制和故障分析

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质量控制和保证在现代工业中是必不可少的。我们提供一系列EM和光谱学的工具多尺度和多模式分析的缺陷,让你做出可靠的过程控制和改进和明智的决定。

基本材料Research_R& D_Thumb_274x180_144DPI

基本材料研究

新材料研究在越来越小的尺度上进行最大限度的控制他们的物理和化学性质。电子显微镜为研究人员提供了关键洞察各种微-纳米材料特性。


技术

能量色散谱

能量色散谱(EDS)收集详细的基本信息以及电子显微镜图像,提供关键的上下文EM观察。与EDS、化学成分可以从快速确定,整体表面扫描单个原子。

了解更多;

EDS元素分析

热科学杰出人才元素映射软件提供快捷可靠的信息对样品中化学元素的分布。

了解更多;

3 d EDS断层扫描

现代材料研究越来越依赖于纳米尺度分析在三维空间中。3 d特征,包括完整的化学成分数据和结构背景下,是有可能与3 d EM和能量色散x射线光谱。

了解更多;

量子与EDS元素的映射

原子水平EDS提供无与伦比的化学背景材料分析,区分单个原子的基本单位。结合高分辨率透射电镜时,可以观察到原子的精确的组织样本。

了解更多;

热成像样品

研究材料在现实世界的情况经常需要在高温下工作。再结晶材料的行为,融化,变形或反应的热量可以通过扫描电子显微镜研究了原位或DualBeam工具。

了解更多;

原位实验

直接、实时与电子显微镜观察微观结构变化是必要了解动态再结晶等过程的基本原则晶粒生长,和相变供热、制冷和润湿。

了解更多;

多尺度分析

新材料必须在更高的分辨率,同时保留分析样品的大背景。多尺度分析允许各种成像的相关工具和方法,如x射线microCT DualBeam,激光PFIB、SEM和TEM。

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能量色散谱

能量色散谱(EDS)收集详细的基本信息以及电子显微镜图像,提供关键的上下文EM观察。与EDS、化学成分可以从快速确定,整体表面扫描单个原子。

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EDS元素分析

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现代材料研究越来越依赖于纳米尺度分析在三维空间中。3 d特征,包括完整的化学成分数据和结构背景下,是有可能与3 d EM和能量色散x射线光谱。

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原子水平EDS提供无与伦比的化学背景材料分析,区分单个原子的基本单位。结合高分辨率透射电镜时,可以观察到原子的精确的组织样本。

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原位实验

直接、实时与电子显微镜观察微观结构变化是必要了解动态再结晶等过程的基本原则晶粒生长,和相变供热、制冷和润湿。

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多尺度分析

新材料必须在更高的分辨率,同时保留分析样品的大背景。多尺度分析允许各种成像的相关工具和方法,如x射线microCT DualBeam,激光PFIB、SEM和TEM。

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