高频振荡器的m - t相变焓和体积的变化²

客观的
高频振荡器²是一个潜在的材料应用高温陶瓷和(转换增韧高于1100^OC) high-K电介质在集成电路(降低泄漏电流与SiO相比。高频振荡器²同型的氧化锆和接受monoclinic-tetragonal tetragonal-cubic翻译与温带。

高温阶段不是可抑制的但是可以获得高地区的样本。Monoclinic-tetragonal过渡在二氧化铪是其应用的关键。然而,没有热化学数据在高频振荡器的相变²这个工作的目的是确定焓和体积变化高频振荡器的m - t过渡²通过直接测量。