TSMC参考流8.0的最佳功率热分析
阅读时间:
优化公司™公布了TSMC参考流8.0 IC封装热分析。台积电最新的参考流程解决了45纳米设计,并具有对模具内变化的统计定时分析,自动化DFM热点固定和新的动态低功耗设计方法。参考流程8.0是台积电最新一代的设计方法,可以提高产量,降低风险和提高设计边际。
“自参考流程5.0以来,台积电和Optimal一直在一起工作,以解决芯片封装协同设计的问题。在Reference Flow 8.0中,我们扩展了这种合作,以确保芯片能够在封装的热环境中正确运行,”Optimal首席执行官戴夫·德玛利亚(Dave DeMaria)说。
“台积电的Reference Flow 8.0是一个行业基准,我们很自豪能够通过PakSi-TM热分析产品与之合作,”DeMaria补充道。
“在45纳米,IC封装热问题是至关重要的,”台积电设计服务营销副总监郭武说。“通过台积电的Reference Flow 8.0和Optimal的PakSi-TM,设计人员可以验证成品硅芯片设计可以在所选封装的热环境下工作,同时仍然满足性能和良率目标。”
根据Optimal的说法,PakSi-TM允许封装工程师在设计交付制造之前确定IC封装的热和机械特性,从而节省时间和金钱。
PakSi-TM由精通复杂IC封装设计的工程师团队开发,是一种易于使用的工具,同时考虑到模具功率分布,材料特性和周围的PCB环境,以预测热阻和模具封装到环境环境的温度。
广告