SMI公布硫族膜MOCVD专利申请

结构材料工业公司(SMI)报告称，它已经为用于硫属随机存取存储器(CRAMs)的GeSbTe基硫属化合物MOCVD申请了临时专利。

cram是一种很有前途的用于高速高密度存储器的非易失性存储器材料。

CRAMs还具有固有的耐辐射性，使其适用于军事和空间存储应用。

在过去的两年里，SMI一直在联邦、商业和内部的支持下研究硫属化合物的MOCVD。

“通过MOCVD成功沉积硫系膜最初被证明是非常具有挑战性的;然而，一旦解决了过程动力学问题，就可以实现简单的沉积，”项目科学家Edwin Dons博士说。

公司总裁Gary S. Tompa博士表示:“硫属化合物MOCVD的成功为改进制造工艺打开了大门，并有可能更快地实现CRAM生产，以及更快地探索合金和掺杂增强材料的能力。”