FEI宣布旗舰Helios NanoLab x50 DualBeam系列
FEI公司推出了新的Helios NanoLab™x50 DualBeam™系列。它将FEI的超高分辨率扫描电子显微镜(XHR SEM)与新型高性能聚焦离子束(FIB)集成在一起，为半导体和材料科学研发领域的应用提供了前所未有的成像和铣削能力。
“FEI是十多年前第一个将DualBeam商业化的公司，并且，为了保持FEI在单个系统中结合最新的SEM和FIB技术的长期记录，我们推出了新的Helios NanoLab x50 DualBeam。为了满足客户的下一代成像要求，Helios是目前市场上最强大、最灵活的双光束系统，”FEI公司的企业和战略营销总监John Williams说。
Williams补充道:“它结合了无与伦比的SEM成像(最初是在屡获殊荣的Magellan™中推出的)和具有更高分辨率和稳定性的FIB铣床性能，可用于故障分析、纳米级表征、纳米原型、样品制备和其他高级分析技术的高级应用。”
新型高性能Tomahawk FIB最初是在V400ACETM中引入的，现在配备了FEI最新的开关技术，可以提供铣削操作的SEM和FIB实时监控，更小的FIB点用于精确铣削控制，以及更高的光束电流用于大型结构(如通过硅通孔(tsv))的材料去除。先进TEM薄片制备的总通量提高了40%。
“Helios 450(S)系列主要是为当今先进的半导体实验室设计的，这些实验室正在应对众多挑战，包括缩小32nm以下节点的尺寸;先进的封装技术，如tsv和多模堆;以及需要TEM成像的更高数量的样品，”Williams说。
Helios 650是专为学术和工业研究中心，需要做先进的材料表征和改性到单纳米尺度。它提供了更广泛的信息和更高质量的3D数据，以便更好地了解材料特性，如颗粒/孔隙度分布、裂纹扩展和其他行为。
Helios 650的亚纳米分辨率在极低的光束能量下提供了表面特定成像，到目前为止，在双光束仪器中是无法实现的。对于纳米原型，Helios 650为用户提供了在大面积(毫米大小)上创建更精细、更复杂结构的能力，更好地控制尺寸，更少的工件，更快的材料去除速率等等。
Helios 450(S)和650系列DualBeam系统可立即订购。
“FEI是十多年前第一个将DualBeam商业化的公司，并且，为了保持FEI在单个系统中结合最新的SEM和FIB技术的长期记录，我们推出了新的Helios NanoLab x50 DualBeam。为了满足客户的下一代成像要求，Helios是目前市场上最强大、最灵活的双光束系统，”FEI公司的企业和战略营销总监John Williams说。
Williams补充道:“它结合了无与伦比的SEM成像(最初是在屡获殊荣的Magellan™中推出的)和具有更高分辨率和稳定性的FIB铣床性能，可用于故障分析、纳米级表征、纳米原型、样品制备和其他高级分析技术的高级应用。”
新型高性能Tomahawk FIB最初是在V400ACETM中引入的，现在配备了FEI最新的开关技术，可以提供铣削操作的SEM和FIB实时监控，更小的FIB点用于精确铣削控制，以及更高的光束电流用于大型结构(如通过硅通孔(tsv))的材料去除。先进TEM薄片制备的总通量提高了40%。
“Helios 450(S)系列主要是为当今先进的半导体实验室设计的，这些实验室正在应对众多挑战，包括缩小32nm以下节点的尺寸;先进的封装技术，如tsv和多模堆;以及需要TEM成像的更高数量的样品，”Williams说。
Helios 650是专为学术和工业研究中心，需要做先进的材料表征和改性到单纳米尺度。它提供了更广泛的信息和更高质量的3D数据，以便更好地了解材料特性，如颗粒/孔隙度分布、裂纹扩展和其他行为。
Helios 650的亚纳米分辨率在极低的光束能量下提供了表面特定成像，到目前为止，在双光束仪器中是无法实现的。对于纳米原型，Helios 650为用户提供了在大面积(毫米大小)上创建更精细、更复杂结构的能力，更好地控制尺寸，更少的工件，更快的材料去除速率等等。
Helios 450(S)和650系列DualBeam系统可立即订购。
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