范推出新的DualBeam等离子聚焦离子束

范已经启动了一个新的DualBeam™等离子体聚焦离子束对样品制备(PFIB),电气故障隔离(EFI)和电气故障分析(脂肪酸)sub-20nm半导体设备。太阳神PFIB EFI是唯一的基础解决方案,改善time-to-results从几天到几个小时。

“半导体过程开发和提高收益率的工程师不再需要遭受延误由于多刀,multi-operator电气故障隔离和失效分析方法,”罗伯·克鲁格,副总裁和总经理范的半导体业务。“新Helios PFIB EFI是基础,易于使用的解决方案,减少步骤的数量和样品转移过程中。消除这些瓶颈有助于减少设备调试和分析过程周期时间的50 - 80,提高收益率接近100%,使芯片制造商实现更快time-to-volume制造”。

太阳神PFIB EFI是建立在世界上最先进的DualBeam血浆FIB平台基础SEM和nanoprobing功能,提供特定场地与原位扫描电镜样品制备端点和低矮的横梁能源SEM-based晶体管特性。它包括电子束吸收电流(EBAC) interconnect-level电气故障隔离和电子束感生电流(EBIC)分析扩散特征。系统提高deprocessing收益率10 nm范设备通过使用独特的Dx机构扁平化的解决方案。

“我们专有的Dx梁化学带来高收益,高通量样品准备sub-16nm和14 nm节点,而低能量SEM原位允许精确的端点,高分辨率成像和精确的电子探针定位,”克鲁格仍在继续。“用太阳神PFIB EFI,我们的客户已经成功地探测设备到完整的电气接触水平分析晶体管的电学性能没有受到损害。”