西方JPSA介绍IX200紫外激光在半导体

j.p.根据Associates (JPSA) announcedc ot会举行一个简短(20 - 30分钟)新闻发布会上半导体西方2006年引入IX200紫外激光晶片加工和微加工系统。

新闻发布会将在JPSA展台,# 5179,在北大厅Moscone中心,星期二,7月11日下午2点

出版社工具包可以在展台(和媒体室);经过短暂的技术由比尔Kallgren表示,会有问答时间。

紧凑型IX200适用于前端和后台资料处理和可用于离散长(固态)和准分子紫外激光配置。

的IX200 ChromaDice™离散长版本是晶圆片切丁(基板)系统也适合晶片修剪和划线,和许多其他directwrite应用程序。

其紫外diodepumped solidstate(离散长)激光系统旨在提供高速切片和削减在2美元/晶片与典型的收益率为99%。

晶圆变形过程是宽容和弓和适合所有晶片类型。

IX200系统在准分子激光版也可以通过钻探、微加工、薄膜模式和许多其他半导体封装应用程序包括发射。

类1,全封闭IX200 ChromaDice™266 nm和355 nm紫外线可用离散长激光波长范围广泛的过程能力;它可以实现削减窄2.5微米宽,收益率高达24%死每片死的收益率为99%。

它提供的结果在砷化镓、硅和其他材料和文士6”晶片,包括蓝宝石LED晶片。

的IX200 ChromAblate™系统是一种准分子激光配置。在波长248纳米,适用于硅微加工,氮化镓、砷化镓和其他IIIV材料、聚合物、陶瓷等。

一个可选的193纳米梁交付包也可以用于聚合物不夫妇与紫外线波长越长(例如,Pebax),以及许多的光学透明材料不achine低于248纳米波长紫外激光能量。